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Transistor FET

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¿Qué es un Elemento Activo?

Elementos activos son aquellos componentes de los circuitos que tienen capacidad para controlar corriente.

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TRANSISTORES FET

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UN POCO DE HISTORIA

Antes de que se introdujeran los primeros FET en el mercado de componentes electrónicos, el concepto se conocía desde hace varios años. Había dificultades para realizar este tipo de dispositivo y hacerlo funcionar de forma eficiente.
Algunos de los primeros conceptos para el transistor de efecto de campo (FET por sus siglas en inglés), fueron descritos en un artículo de Lilienfield en 1926, y en otro artículo de Heil en 1935.
Posteriormente en la década de 1940 en los Laboratorios Bell, donde se creó un grupo de investigación de semiconductores. 

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Este grupo investigó una serie de áreas relacionadas con los semiconductores y la tecnología de semiconductores, uno de los cuales era un dispositivo que modularía la corriente que fluye en un canal de semiconductores, mediante la colocación un campo eléctrico cerca de él.
Durante estos primeros experimentos, los investigadores no pudieron hacer que la idea funcionara, conforme pasaba el tiempo lograron crear otro tipo de transistor, el BJT.
Después de esto, gran parte de la investigación de semiconductores se centró en mejorar el transistor bipolar, y la idea de un transistor de efecto de campo no se investigó por completo durante algún tiempo. En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo, donde se menciona la estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, cuya nueva patente fue solicitada en 1952 El primer transistor MOSFET fue construido por dos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960..

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¿Qué es un transmisor FET?

Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. El transistor FET (transistor de efecto campo) se basa en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un «canal» en un material semiconductor. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada.

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Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N.

¿Cómo funciona un transistor FET?

 

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 El concepto del transistor de efecto de campo se basa en la idea de que la carga en un objeto cercano puede atraer cargas dentro de un canal semiconductor. Básicamente funciona utilizando un efecto de campo eléctrico, de ahí su nombre.

El FET consiste en un canal semiconductor con electrodos en cada extremo denominado Drain y Source. Un electrodo de control llamado Gate se coloca muy cerca del canal para que su carga eléctrica pueda afectar el canal. De esta manera, el “Gate” del FET controla el flujo de portadores (electrones o agujeros) que fluyen desde la fuente hasta el drenaje. Lo hace controlando el tamaño y la forma del canal conductor.

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El canal semiconductor donde se produce el flujo de corriente puede ser de tipo P o de tipo N. Esto da lugar a dos tipos o categorías de FET conocidos como FET de canal P y FET de canal N.
Además de esto, hay dos categorías más. El aumento del voltaje en la puerta puede agotar o mejorar la cantidad de portadores de carga disponibles en el canal. Como resultado, hay FET en modo de mejora y FET en modo de agotamiento.

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APLICACIONES

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Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran resistencia de entrada y baja resistencia de salida, es efectivo como un buffer en la configuración de drenaje común (seguidor de fuente). Son muy comunes además en amplificadores de audio.

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